<menuitem id="dkfvp"><strong id="dkfvp"></strong></menuitem>

            <tbody id="dkfvp"></tbody>
            <tbody id="dkfvp"><div id="dkfvp"><td id="dkfvp"></td></div></tbody>

            <menuitem id="dkfvp"><dfn id="dkfvp"></dfn></menuitem>
            歡迎光臨深圳市合通泰電子有限公司官網!
            全國咨詢熱線:181-4585-5552
            聯系我們

            合通泰電子

            地址:深圳市寶安區西鄉街道華豐互聯網+創意園A座711室

            Q Q:640305569

            電話:181-4585-5552

            郵箱:ly@htt-mlcc.com

            當前位置: 首頁 > 新聞資訊 > 公司新聞

            村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

            時間:2021-05-15 14:36:55 作者:合通泰 點擊:

            村田貼片電容的的容量,小到pF級,大到幾百uF級,大容值濾低頻,多用于電源線上的去耦電路,減少電路紋波;小容值濾高頻,多用于射頻端匹配電路上。

            村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

            理想電容的絕緣阻抗無限大,但是實際上電容存在寄生參數,故實際的絕緣阻抗有限,一般在兆歐級別,具體參見村田對應型號的規格書。

            損耗因素(損耗角正切)=有功功率/無功功率=漏電流/充電電流=1/Q(品質因素)

            D.F.=2*π*f*C*R (R為等效串聯電阻).



             
            综合久久综合久久88色鬼,老熟女日日网视频,影音先锋啪啪xfplay,电影 国产 偷窥 亚洲 欧美,手机欧美一级毛片视频,欧美高清vivoe,狠狠狠的在拍线香蕉